Методические указания для студентов по выполнению расчета транзисторного усилительного каскада

ОБЛАСТНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ

ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

«СМОЛЕНСКАЯ АКАДЕМИЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ»

Сафоновский филиал областного государственного бюджетного

профессионального образовательного учреждения

«Смоленская академия профессионального образования»

(Сафоновский филиал ОГБПОУ СмолАПО)

Методические указания

для студентов по выполнению расчета транзисторного усилительного каскада с общим эмиттером в области низких частот

по дисциплинам ОП.17 Основы схемотехники и ОП.07 Электронная техника

для специальности 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям)

(базовая подготовка)

2018

Методические указания для студентов по выполнению расчета транзисторного усилительного каскада с общим эмиттером в области низких частот разработаны на основе Федерального государственного образовательного стандарта по специальности среднего профессионального образования 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям)

Разработчик: преподаватель Сафоновского филиала ОГБПОУ СмолАПО ____________В.С.Непокрытов Рассмотрено цикловой комиссией машиностроения Сафоновского филиала ОГБПОУ СмолАПО (протокол от 2018г. № ) Председатель ______Е.А.Демкина УТВЕРЖДЕНО методическим советом Сафоновского филиала ОГБПОУ СмолАПО (протокол от 2018г. № ) Председатель_______Г.Л. Полежаева

Рецензент Е.А.Демкина /преподаватель Сафоновского филиала ОГБПОУ СмолАПО/ Рецензент В.Н.Солдатов / Главный метролог АО «Авангард»/

Методические указания по дисциплинам ОП.17 Основы схемотехники и ОП.07 Электронная техника содержат требования к выполнению расчета усилительного каскада, построенного по схеме с общим эмиттером, при выполнении лабораторно-практических работ.

Методические указания предназначены для студентов специальности 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям).

Содержание

Введение	5
1 Методические указания по выполнению расчета усилительного каскада	6
1.1 Цель и задачи технического расчета	6
1.2 Общие указания	7
1.3 Задание для выполнения	7
1.4 Методические указания к пункту 1.3.1	8
1.5 Методические указания к пункту 1.3.2	11
1.6 Методические указания к пункту 1.3.3	13
1.7 Методические указания к пункту 1.3.4	13
2 Пример к пункту 1.3	14
Список использованных источников	19
Приложение А	20
Приложение Б	21
Приложение В	22
Приложение Г	23
Приложение Д	24
Приложение Е	30

Введение

Настоящие методические указания разработаны согласно Рекомендаций по организации выполнения расчета усилительного каскада по дисциплине в образовательных учреждениях среднего профессионального образования - Приложения к письму Минобразования России от 05.04.99 №16-52-55 ин/16-13 и рабочим программам по дисциплинам ОП.17 Основы схемотехники и ОП.07 Электронная техника для специальности 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям).

Расчет усилительного каскада по специальности 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям) имеет целью систематизировать, расширить и углубить теоретические знания студентов, ознакомить их с особенностями схем апериодического усилителя с общим эмиттером; методикой расчета усилителя; способами температурной стабилизации усилителя; способом построения нагрузочных прямых по постоянному и переменному токам, а также научить производить расчет усилителя, пользуясь методикой и определять h и Y- параметры в рабочей точке транзистора.

В ходе технического расчета студенты приобретают опыт самостоятельного решения задач проектирования, а также получают навыки использования нормативной, справочной и учебной информации.
Расчет электрического режима работы каскада в области низких частот и параметров элементов схем обычно производится на основании предварительного эскизного расчета всего тракта низкой частоты, в процессе которого определяют необходимую степень усиления сигналов низкой частоты выбирают способ его обеспечения с помощью отдельных каскадов тракта и выбирают тип усилительного прибора (транзистор, микросхема).

Предложенная методика рассматривает расчет усилительного каскада, выполненного на биполярном транзисторе и работающего в области низких частот.

Расчет усилительного каскада соответствует современному уровню проектирования, объему теоретических знаний и практических навыков, полученных студентами за время обучения в академии и включают вопросы, с которыми студенты могут встретиться в своей практической деятельности.

1 Методические указания по выполнению расчета усилительного каскада.

1.1 Цель и задачи технического расчета

Технический расчет усилительного каскада является определенным этапом изучения дисциплин ОП. Электронная техника и ОП.17 Основы схемотехники и представляет собой академическую работу, самостоятельно выполненную студентом, оформленную с соблюдением необходимых требований и представленную к защите преподавателю.

Целью технического расчета является определение соответствия результатов освоения студентом основной профессиональной образовательной программы среднего профессионального образования –программы подготовки специалистов среднего звена (ОПОП СПО –ППССЗ) требованиям Федерального государственного образовательного стандарта по специальности СПО 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям).

Основными задачами расчета усилительного каскада являются систематизация, расширение и углубление теоретических знаний студентами, ознакомление их с особенностями схем апериодического усилителя с общим эмиттером; методикой расчета усилителя; способами температурной стабилизации усилителя; способами построения нагрузочных прямых по постоянному и переменному токам, а также научить производить расчет усилителя, пользуясь методикой и определять Н и Y- параметры в рабочей точке транзистора.

Выполнение технического расчета также способствует:

-развитию умений анализировать, систематизировать и обобщать опыт, описанный в учебной, профессионально направленной и методической литературе;

-проявлению творческой инициативности для получения результатов при решении поставленных задач, умения делать на основании имеющихся или полученных данных грамотные выводы и предложения;

-совершенствованию навыков графического и текстового оформления результатов работы.

1.2 Общие указания

Перед выполнением расчета студенту необходимо изучить учебную и дополнительную литературу [1,2,3,4] по заданной теме, а также ознакомиться с правилами оформления текстовой и графической документаций изложенной в [5].

1.3 Задание для выполнения расчета

Для усилительного транзисторного каскад, изображенного на рисунке 1, необходимо:

1.3.1 Выбрать транзистор, определить напряжение источника питания U_п, рассчитать сопротивление резисторов R_к, R_б1, R_б2 и выбрать их номиналы.

1.3.2 Определить h – параметры h_11э, h_12э, h_21э, h_22э в рабочей точке транзисторного каскада, его входное R_вх. и выходное R_вых сопротивления.

1.3.3 Найти амплитуды напряжения U_Бт и тока базы I_Бт, коэффициенты усиления каскада по току K_I, напряжению K_U, мощности K_P и амплитуду напряжения источника сигнала U_Gт.

1.3.4 Рассчитать емкость конденсаторов C_p1, C_p2, C_э и выбрать их номиналы.

Рисунок 1.1- Принципиальная электрическая схема усилительного каскада с ОЭ

1.4 Методические указания к пункту 1.3.1.

Исходные данные для всех пунктов задания выбираются по номеру варианта соответствующему номеру фамилии студента в журнале (Приложение Г)

1.4.1 Вычертить принципиальную электрическую схему транзисторного усилительного каскада (рисунок 1.1 ).

1.4.2 Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора:

Rк = (1+К_R)•R_H

где K_R – коэффициент соотношение сопротивления R_H и R_K

K_R = 1,2 … 1,5 при R_H ≤ 1 кОм;

K_R = 1,5 … 5 при R_H 1 кОм.

Номинал резистора R_K выбирается по приложению Б.

1.4.3 Определить эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

R'_H =( Rк • R_H) / (Rк + R_H)

1.4.4 Найти амплитуду коллекторного тока транзистора:

I_{km =} U_Hm / R'_H

1.4.5 Определить ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора:

I_КП = I_km / К_З,

где К_З – коэффициент запаса.

К_З = 0,7 … 0,95,

К_З = 0,7 – максимальные нелинейные искажения,

К_З = 0,95 – максимальный КПД.

1.4.6 Рассчитать минимальное напряжение коллектор – эмиттер в рабочей точке транзистора:

U_{КЭn min} = U_Hm + U₀,

где U₀ – напряжение коллектор – эмиттер, соответствующее началу прямолинейного участка выходных характеристик транзистора, В; U₀ = 1B – для транзисторов малой мощности

(Р_к ≤ 150 мВт);

U₀ = 2 В – для транзисторов большой с средней мощности

СР_к 150 мВт.

Если U_{КЭn min} меньше типового значения U_КЭn = 5 В, то следует выбрать U_{КЭn min} = U_КЭn = 5 В, в противном случае U_{КЭn min} = U_КЭn.

1.4.7 Рассчитать напряжение источника питания:

U_n = (U_КЭn + I_Кn • Rк) / (0,7…0,9),

значение расчетного напряжения U_n округлить до ближайшего целого числа.

1.4.8 Определить и выбрать номинал сопротивления резистора эмиттерной цепи транзистора:

R_{Э =} (0,1…0,3) • U_n / I_Кn

1.4.9 Выбрать транзистор из приложения А по параметрам:

а) максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер:

U_{КЭ доп} ≥ U_n

б) максимальный допустимый средний ток коллектора:

I_{К доп} I_Кn

в) максимальная мощность рассеивания на коллекторе P_Кmax при наибольшей температуры окружающей среды Т_М.

P_Кmax ( I_Кn • U_Кn),

где P_Кmax находится по формуле:

P_Кmax = Р_{к доп} • (Т_{n max} – T_m) / (Т_{n max} –Т₀),

где Р_{к доп} – максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе при температуре окружающей среды Т_о, Вт;

Т_{n max} – максимальная температура перехода, ⁰С;

Т_о – температура окружающей среды, при которой нормируется

Р_{к доп}, 25⁰С;

Р_{к доп}, Т_{n max} – справочные величины.

1.4.10 Вычертить входные и выходные характеристики выбранного транзистора.

1.4.11 На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочную прямую постоянного тока по точкам А, В с координатами (приложение Е, рисунок 1.3):

Точка А U_КЭ = 0; I_К = U_n / (R_К + R_Э),

Точка В U_КЭ = U_n; I_К = 0.

1.4.12 На пересечении нагрузочной прямой и прямой

I_К = I_Кn нанести рабочую точку С. Уточнить напряжение U_КЭ в рабочей точке (U_КЭn= U_КЭ в точке С).

1.4.13 Определить ток базы I_бn транзистора в точке С (рабочей точке).

1.4.14 На входную характеристику (приложение Е, рисунок 1.2) нанести рабочую точку С на пересечение входной характеристики (при U_{кэ n}) и прямой I_б=I_бn. Определить U_бn.

1.4.15 Выбрать ток, протекающий через базовый делитель:

I_б = (5…10)· I_бn

1.4.16 Рассчитать сопротивления и выбрать номиналы резисторов базового делителя R_б1, R_б2:

R_б2 = (U_{бэ n} + I_{к n}·R_э) / I_б

R_б1 = ﴾ [ U_n / ( U_{бэ n} + I_{к n}· R_э)] - 1﴿· R_б2

1.4.17 Найти эквиваленты сопротивления базового делителя:

R_б = (R_б1 · R_б2) / (R_б1 + R_б2).

1.5 Методические указания к пункту 1.3.2.

1.5.1 Определить по входным характеристикам транзистора входное сопротивление транзистора h_11э (при U_кэ= const) в рабочей точке; задать приращение ∆U_бэ около рабочей точки С, найти соответствующее ему приращение базового тока ∆I_б. Вычислить h_11э:

h_11э = ∆U_бэ / ∆I_б, Ом

1.5.2 Определить по входным характеристикам транзистора коэффициент обратной связи по напряжению h_12э (при I_б = const). Для этого, используя справочник по полупроводниковым приборам, нанести на входную характеристику выбранного транзистора кривую со значением U_кэ отличным от имеющегося в данном методическом указании. По двум точкам, выбранным на данных кривых произвольным образом, найти приращение ∆U_кэ и соответствующее ему приращение ∆ U_бэ:

h_12э = ∆ U_бэ / ∆U_кэ

1.5.3 По входным характеристикам транзистора определить коэффициент передачи тока базы h_21э (при U_кэ = const). Найти приращение коллекторного тока и соответствующее ему приращение базового тока при пересечении прямой U_кэ = U_кэn соседних от рабочей точки с выходных характеристик

h_21э = ΔI_к / ΔI_б

1.5.4 По выходным характеристикам транзистора определить выходную проводимость h_22э (при I_б = const). Для этого на одной из выходных кривых, выбранной произвольно, нанести две точки (в пределах рабочей области транзистора). Найти приращение коллекторного тока и соответствующее ему приращение коллекторного напряжения. Определить выходную проводимость:

h_22э = ΔI_к / ∆U_кэ, Сим.

1.5.5 Определите входное сопротивление каскада:

R_ВХ = (h_11э·R_б) / (h_11э + R_б)

1.5.6 Найти выходное сопротивление каскада: R_вых ≈ R_к

1.6 Методические указания к пункту 1.3.3.

1.6.1 Построение на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, которая проходит через рабочую точку С, которая имеет наклон α (приложение Е) и проходит через точки 1, С, 2:

tgα = ΔI_к / ∆U_кэ = 1 / R^'_н,

где ∆I_к и ∆U_кэ измерены в линейных единицах

1.6.2 Нанести на выходные характеристики транзистора амплитуду коллекторного тока I_кm и напряжения U_nm (приложение Е), определить амплитуду базового тока Iбm = ∆I_б / 2. На входных характеристиках (приложение Е) показать амплитуду базового тока и входного напряжения транзистора

U_ВХ.m = ∆U_бэ / 2.

1.6.3 Определить коэффициенты усиления каскада по току K_I, напряжению K_U и мощности K_P:

K_I = (h_21э · R^'_н) / R_H

K_U = (K_I· R_H) / (R_G + R_ВХ)

K_P = K_I· K_U.

1.6.4 Рассчитать амплитуду напряжения источника сигнала:

U_Gm = U_нm / K_U

1.7 Методические указания к пункту 1.3.4.

Частотные искажения в области нижних частот вносятся раздельными конденсаторами С_р1, С_р2 и блокировочным конденсатором С_р1. Рекомендуется частотные искажения в области нижних частот равномерно распределить между конденсаторами С_р1, С_р2, С_б1:

М_нс = (М_н)^1/3

1.7.1 Рассчитать емкость конденсатора:

С_р1 ≥ 1 / [2πF_Н·(R_G + R_ВХ)·(М_Н²_С – 1)^1/2],

выбрать номинал емкости конденсатора С_р1 из приложения Б (при емкости менее 10 мкФ) или приложения В (при емкости 10 мкФ и более).

1.7.2 Определить емкость конденсатора С_р2 и выбрать его номинал:

С_р2 ≥ 1 / [2πF_Н·(R_ВЫХ + R_Н)·(М_Н²_С – 1)^1/2].

1.7.3 Рассчитать емкость блокировки конденсатора С_б1 и выбрать его номинал:

С_б1 ≥ 1 / [2πF_Н·R^'_Н·(М_Н²_С – 1)^1/2].

1.8 Пример к пункту 1.3

Исходные данные:

R_н = 270 Ом; U_нm = 2В

F_н = 20 Гц; М_н = М_в = 1.41.

1.8.1 Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора:

Rк = (1+К_R)•R_H = (1 + 1,2)·270 = 594 Ом

Выберем номинал сопротивления резистора R_К = 620 Ом.

1.8.2 Определим эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

R'_H =( Rк • R_H) / (Rк + R_H) = (270·620) / (270 + 620) = 188 Ом

1.8.3 Найдем амплитуду коллекторного тока:

I_{km =} U_Hm / R'_H = 2 / 188 = 10,6·10^-3 А

1.8.4 Рассчитаем ток покоя транзистора:

I_КП = I_km / К_З = 10,6·10^-3 / 0,7 = 15·10^-3 А

1.8.5 Определим минимальное напряжение коллектор – эмиттер в рабочей точке транзистора:

U_{КЭn min} = U_Hm + U₀ = 2 + 1 = 3В

т. к. U_{КЭn min} меньше типового значения U_КЭn, применяем U_КЭn = 5В

1.8.6 Рассчитаем напряжение источника питания:

U_n = (U_КЭn + I_Кn • Rк) / (0,7…0,9) = (5 + 15·10^-3·620) / 0,7 = 20,4В

Выбираем напряжение источника питания U_п = 20В

1.8.7 Определим сопротивление резистора в эмиттерной цепи:

R_{Э =} (0,1…0,3) • U_n / I_Кn = 0,3·20 / 15·10^-3 = 300 Ом

Принимаем номинал резистора R_Э = 390 Ом

1.8.8 Выбираем транзистор КТ315Г:

U_{КЭ доп} = 25В ≥ U_n = 20В

I_{К доп} = 100мА I_Кn = 15мА

1.8.9 Вычертим входные и выходные характеристики транзистора КТ315Г .

1.8.10 На выходных характеристиках транзистора КТ315Г построим нагрузочную прямую по постоянному току по точкам А и В.

Точка А: U_КЭ = 0; I_К = U_n / (R_К + R_Э) = 20 / (620 + 390) = 19,8·10^-3А

Точка В: U_КЭ = U_n = 20В, I_К = 0.

1.8.11 Нанесем рабочую точку С на нагрузочную прямую с координатой,

I_К = I_Кn = 15·10^-3 A, уточним напряжение U_КЭ в точке покоя: U_КЭ = 5В

1.8.12 Рассчитаем мощность в точке покоя транзистора:

Р_КП = I_Кn · U_КЭn = 15·10^-3·5 = 75·10^-3 Вт

1.8.13 Определим наибольшую мощность рассеивания транзистора при максимальной рабочей температуры:

Р_Кmax = [Р_{к доп}(Т_{n max} – Т_м)] / (Т_{n max} – Т₀) =

= [150·10^-3(120 – 40) ] / (120 - 25) = 125·10^-3 Вт

Поскольку Р_{КП Кmax} , поэтому транзистор КТ315Г выбран правильно.

1.8.14 Находим координаты рабочей точки С на входной характеристике транзистора:

I_Gn = 0,2 мА, U_{бэ n} = 0,53 В

1.8.15 Определим ток базового делителя R_б1, R_б2:

I_Д = (5…10)I_бn = 5·0,2·10^-3 = 1·10^-3 A

1.8.16 Рассчитаем сопротивление резистора базового делителя:

R_б2 = (U_{бэ n} + I_{к n}·R_э) / I_б = (0,53 + 15·10^-3·390) / 1·10^-3 = 6,38·10³ Ом.

Выбираем номинал сопротивления резистора R_б2=6,2 кОм.

1.8.17 Определим сопротивление резистора базового делителя:

R_б1 = R_б2 ﴾ [ U_n / ( U_{бэ n} + I_{к n}· R_э)] - 1﴿ =

= 6,23·﴾ [20 / 0,53 + 15·10^-3·390)]-1﴿ = 13,23·10³ Ом.

Выбираем номинал сопротивления резистора R_б1=13 кОм

1.8.18 Найдем эквивалентное сопротивление базового делителя:

R_б = (R_б1 · R_б2) / (R_б1 + R_б2) =

= (13·10³·6,2·10³) / (13·10³ + 6,2·10³) = 4,2 ·10³ Ом

1.8.19 По выходным характеристикам транзистора определим h₂₁ в рабочей точке транзистора:

h_21э = ΔI_к / ΔI_б = 10,6·10^-3 / 0,1·10^-3 = 106

ΔI_к = 10,6 мА ΔI_б = 0,1 мА,

где I_к1 = 15 мА I_б1 = 0,2 мА

I_к2 = 25,6 мА I_б2 = 0,3 мА

1.8.20 По входным характеристикам найдем h₁₁ в рабочей точке:

h_11э = ∆U_бэ / ∆I_б = 0,125 / 0,2·10^-3 = 625 Ом

1.8.21 Найдем входное сопротивление каскада:

R_ВХ = (h_11э·R_б) / (h_11э + R_б) = (625·4,2·10³) / (625 + 4,2·10³) = 540 Ом

1.8.22 Рассчитаем выходное сопротивление каскада:

R_вых ≈ R_к = 620 Ом

1.8.23 Построим на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, проходящую через рабочую точку С и имеющую наклон:

tgα = ΔI_к / ∆U_кэ = 1 / R^'_н =1 / 188 = 5,32·10^-3А/В

Из графика рис.3 находим:

ΔI_к = 15 мм, ∆U_кэ = 3 мм , следовательно tgα = 15 / 3 = 5

откуда α ≈ 78°

1.8.24 Находим амплитуду тока базы по выходным характеристикам:

Iбm = ∆I_б / 2 = 0,2·10^-3 / 2 = 0,1·10^-3А

1.8.25 Определим по входным характеристикам амплитуду входного напряжения транзистора:

U_ВХ.m = ∆U_бэ / 2 = 0,125 / 2 =62,5·10^-3 В,

где ∆U_бэ = 0,655 – 0,530 = 0,125 В

1.8.26 Определим коэффициент усиления каскада по току:

K_I = (h_21э · R^'_н) / R_H = (106·188) / 270 = 73,8

1.8.27 Найдем коэффициент усиления каскада по напряжению:

K_U = (K_I· R_H) / (R_G + R_ВХ) = (73,8·270) / (550 +540) = 18,2

1.8.28 Рассчитаем коэффициент усиления по мощности:

K_P = K_I· K_U = 18,2·73,8 = 1349

1.8.29 Определим амплитуду напряжения источника сигнала:

U_Gm = U_нm / K_U = 2 / 18,2 = 0,11 В

1.8.30 Распределим частотные искажения в области нижних частот, вносимые емкостями С_р1, С_р2, С_б1, равномерно между ними:

М_нс = (М_н)^1/3 = (1,41)^1/3 = 1,12

1.8.31 Рассчитаем емкость разделительного конденсатора:

С_р1 ≥ 1 / [2πF_Н·(R_G + R_ВХ)·(М_Н²_С – 1)^1/2] =

= 1 / [2·3,14·20(550 +540)·(1,12² – 1)^1/2] = 1,45·10^-5 Ф

Выбираем номинал электролитического конденсатора С_р1 = 20 мкФ.

1.8.32 Определим емкость разделительного конденсатора:

С_р2 ≥ 1 / [2πF_Н·(R_ВЫХ + R_Н)·(М_Н²_С – 1)^1/2] =

= 1 / [2·3,14·20·(620 + 270)·(1,12² – 1)^1/2] = 1,77·10^-5 Ф

Выбираем номинал электролитического конденсатора С_р2 =20 мкФ.

1.8.33 Найдем емкость блокировочного конденсатора:

, С_б1 ≥ 1 / [2πF_Н·R^'_Н·(М_Н²_С – 1)^1/2] =

= 1 / 2·3,14·20·188)·(1,12² – 1)^1/2] = 8,4·10^-5 Ф

Выбираем емкость электролитического конденсатора С_б1 = 100 мкФ.

Список использованных источников

Основные источники

1 Фролов В.А. ,Электронная техника. Ч.2. Схемотехника

электронных схем. ФГБОУ «Учебно- методический центр по образованию на железнодорожном транспорте». 2014

Дополнительные источники

2 Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств, М.: Телеком, 2011;

3 Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства. – М.: Радио и связь, 2009;

4 Непокрытов В.С., Комплект слайдовых презентаций по дисциплине «Основы схемотехники»

5 Непокрытов В.С., Методические указания для студентов по выполнению курсового проекта по междисциплинарному курсу МДК.02.01 Теоретические основы организации монтажа, ремонта систем автоматического управления,средств измерений и мехатронных систем для специальности 15.02.07 Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям)

Приложение А

Транзистор	КТ315Б	КТ315Г	КТ375А	КТ375Б	КТ310А	КТ3102Б
Параметр
Предельно допустимое напряжение коллектор – эмиттер UКЭ. доп., В	15	25	60	30	50	30
Максимальный постоянный ток коллектора IК. доп., мА	100	100	100	100	100	100
Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РК. доп., мВт	150	150	400	400	250	250
Статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ	50-350	50-350	10-100	50-140	100-250	200-250
Максимальная температура перехода Тп.max, 0C	120	120	125	125	125	125
Входная характеристика рис.	а	а	В	В	Д	Д
Выходная характеристика рис.	б	б	г	г	с	с

Параметры и характеристики некоторых широко применяемых транзисторов.

Приложение Б

Номиналы сопротивлений и емкостей конденсаторов (не электролитических)

Номинальное сопротивление резистора выбирается по расчетному из номиналов ряда Е24:

R = K·10ⁿ Ом,

где K – множитель ряда Е24 (см. таблицу),

n – степенной множитель.

Номинал емкости конденсатора выбирается по расчетной из номинала ряда Е24:

С = К·10ⁿ Ф

Таблица- Номиналы сопротивлений резисторов и емкости конденсаторов

1,0	1,3	1,8	2,4	3,3	4,3	5,6	7,5
1,1	1,5	2,0	2,7	3,6	4,7	6,2	8,2
1,2	1,6	2,2	3,0	3,9	5,1	6,8	9,1

Приложение В

Номиналы емкостей электролитических конденсаторов К50-16, К50-6 и их рабочие напряжения.

Рабочее напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ	Рабочее напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ
6,3	5 10 20 50 100 200 500	16; 25	500 1000 2000 4000
10	10 20 50 100 200 500 1000 2000 4000	50	1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000 4000
16; 25	1 2 5 10 20 50 100 200	100; 160	1 2 5 10 20

Приложение Г

Варианты

№ Вар.	Сопротивление нагрузки Rн, Ом	Амплитуда напряжения в нагрузке Uнм, В	Внутреннее сопротивление источника сигнала RG, Ом	Нижняя граничная частота Fн, Гц	Допустимые частотные искажения на граничных частотах, Мн и Мв	Максимальная температура окружающей среды Тм, 0С
1	100	0,5	100	25	1,41	40
2	150	1,0	150	50
3	180	1,5	200	75
4	300	2,0	300	100
5	400	2,5	350	125
6	500	2,25	400	150
7	400	1,75	450	175
8	350	1,25	500	200
9	370	0,75	600	225
10	300	1,0	700	250
11	125	0,6	600	25
12	145	0,65	500	50
13	155	1,0	450	75
14	175	1,4	400	100
15	185	1,5	350	125
16	190	1,6	300	150
17	205	1,6	200	175
18	215	1,65	150	200
19	230	1,65	100	225
20	250	1,7	150	250
21	280	1,8	200	225
22	350	2,3	300	200
23	375	2,3	350	175
24	390	2,4	400	150
25	420	2,6	450	125
26	450	2,3	500	100
27	470	2,3	600	75
28	480	2,2	700	50
29	490	2,2	600	25
30	295	2,0	500	150
31	320	1,9	450	50
32	345	1,9	400	25

исходных данных для расчета

Приложение Д

Входные и выходные характеристики транзисторов типа КТ312

Входные характеристики транзисторов КТ312А-КТ312В

Выходные характеристики транзистора КТ312А

Выходные характеристики транзистора КТ312Б

Выходные характеристики транзистора КТ312В

Входные характеристики транзистора КТ315

Выходные характеристики транзистора КТ315

Приложение Е

К построению нагрузочных прямых по постоянному и переменному токам

36