СДЕЛАЙТЕ СВОИ УРОКИ ЕЩЁ ЭФФЕКТИВНЕЕ, А ЖИЗНЬ СВОБОДНЕЕ

Благодаря готовым учебным материалам для работы в классе и дистанционно

Скидки до 50 % на комплекты
только до

Готовые ключевые этапы урока всегда будут у вас под рукой

Организационный момент

Проверка знаний

Объяснение материала

Закрепление изученного

Итоги урока

Оптоэлектронные приборы

Категория: Прочее

Нажмите, чтобы узнать подробности

Рассмотрены особенности фотоприборов: фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, фототиристоров

Просмотр содержимого документа
«Оптоэлектронные приборы»

Оптоэлектронные приборы

Оптоэлектронные приборы

Фотоэффект перераспределение электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках под действием света.

Фотоэффект

перераспределение электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках под действием света.

Фотоэффект приводит к:  внешний - испускание электронов под действием светового потока;  внешний — под действием светового потока возникает фотоэлектронная эмиссия; возникновению фото ЭДС.  внутренний – изменение проводимости при изменении светового потока — под действием фотонов происходит генерация носителей зарядов - электронов проводимости и «дырок»;

Фотоэффект приводит к:

  • внешний - испускание электронов под действием светового потока;
  • внешний — под действием светового потока возникает фотоэлектронная эмиссия;
  • возникновению фото ЭДС.
  • внутренний – изменение проводимости при изменении светового потока
  • — под действием фотонов происходит генерация носителей зарядов - электронов проводимости и «дырок»;
Фотоэлементы

Фотоэлементы

Фоторезисторы — полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава падающего излучения.

Фоторезисторы — полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава падающего излучения.

Фоторезистор Материалом для фоторезисторов служат селен, сернистый свинец, сернистый кадмий, сернистый висмут и другие полупроводники. Фоторезистор работает только от внешнего источника питания и имеет одинаковое сопротивление в обоих направлениях. ВАХ фоторезисторов линейные. Неосвещенный фоторезистор обладает большим «темновым» сопротивлением Rт ≈ 100кОм … 100МОм и через него проходит малый «темновой» ток  Iт . При освещении сопротивление резко уменьшается и ток увеличивается до некоторого значения Iс , зависящего от интенсивности освещения.  1 - пластинка, 2 - слой полупроводника, 3 -электроды

Фоторезистор

  • Материалом для фоторезисторов служат селен, сернистый свинец, сернистый кадмий, сернистый висмут и другие полупроводники.
  • Фоторезистор работает только от внешнего источника питания и имеет одинаковое сопротивление в обоих направлениях.
  • ВАХ фоторезисторов линейные.
  • Неосвещенный фоторезистор обладает большим «темновым» сопротивлением ≈ 100кОм … 100МОм и через него проходит малый «темновой» ток .
  • При освещении сопротивление резко уменьшается и ток увеличивается до некоторого значения , зависящего от интенсивности освещения.

1 - пластинка, 2 - слой полупроводника, 3 -электроды

Фотодиоды — это полупроводниковые фотоэлектрические приборы с одним p-n-переходом и двумя контактами, принцип действия которых основан на использовании внутреннего фотоэффекта.

Фотодиоды — это полупроводниковые фотоэлектрические приборы с одним p-n-переходом и двумя контактами, принцип действия которых основан на использовании внутреннего фотоэффекта.

Фотодиоды полупроводниковые приборы, в основу действия которых положено свойство электронно-дырочного перехода изменять обратное сопротивление под действием светового потока. Когда фотодиод не освещен, в цепи резистора R проходит обратный ток очень небольшой величины. При освещении фотодиода увеличивается число «дырок» в области полупроводника с электронной проводимостью. При включении напряжения эти «дырки» проходят через электронно-дырочный переход, вызывая увеличение тока в цепи нагрузки.

Фотодиоды

  • полупроводниковые приборы, в основу действия которых положено свойство электронно-дырочного перехода изменять обратное сопротивление под действием светового потока.
  • Когда фотодиод не освещен, в цепи резистора R проходит обратный ток очень небольшой величины.
  • При освещении фотодиода увеличивается число «дырок» в области полупроводника с электронной проводимостью.
  • При включении напряжения эти «дырки» проходят через электронно-дырочный переход, вызывая увеличение тока в цепи нагрузки.
Режимы работы фотодиодов режим А характеризуется отсутствием внешнего источника напряжения, фотодиод работает как вентильный фотоэлемент; режим В характеризуется работой фотодиода с внешним источником напряжения и называется фотодиодным.

Режимы работы фотодиодов

  • режим А характеризуется отсутствием внешнего источника напряжения, фотодиод работает как вентильный фотоэлемент;
  • режим В характеризуется работой фотодиода с внешним источником напряжения и называется фотодиодным.
Вентильные фотоэлементы устройства, в которых световая энергия непосредственно преобразуется в электрическую Схема электровакуумного (а) и полупроводникового (б ) фотоэлемента: К — фотокатод; А — анод;  Ф — световой поток;  n и p — области полупроводника с донорной и акцепторной примесями; Е — источник постоянного тока; Rн — нагрузочный резистор.

Вентильные фотоэлементы

устройства, в которых световая энергия непосредственно преобразуется в электрическую

Схема электровакуумного (а) и полупроводникового (б ) фотоэлемента:

К — фотокатод; А — анод;

Ф — световой поток;

n и p — области полупроводника с донорной и акцепторной примесями;

Е — источник постоянного тока; Rн — нагрузочный резистор.

Фототранзистор — это полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя р- n-переходами.

Фототранзистор — это полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя р- n-переходами.

Фототранзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя р - n - переходами. Облучению подвергается область базы. Под действием света в базовой области образуются свободные носители зарядов —электроны и «дырки». «Дырки», направляясь к коллекторному переходу, проходят в область коллектора и вызывают увеличение обратного тока Ir. Фототранзистор может иметь вывод от базы или не иметь такового.

Фототранзисторы

  • представляют собой полупроводниковые приборы с двумя р - n - переходами.
  • Облучению подвергается область базы. Под действием света в базовой области образуются свободные носители зарядов —электроны и «дырки». «Дырки», направляясь к коллекторному переходу, проходят в область коллектора и вызывают увеличение обратного тока Ir.
  • Фототранзистор может иметь вывод от базы или не иметь такового.
это четырехслойная полупроводниковая структура, управляемая световым потоком подобно тому, как триодные тиристоры управляются напряжением, подаваемым на управляющий электрод.

это четырехслойная полупроводниковая структура, управляемая световым потоком подобно тому, как триодные тиристоры управляются напряжением, подаваемым на управляющий электрод.

Фототиристоры применяются в качестве бесконтактных ключей для коммутации световым сигналом электрических сигналов большой мощности ; эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях; скорость отклика на свет — менее 1 мкс; фототиристоры обычно изготавливают из кремния, и спектральная характеристика у них такая же, как и у других кремниевых фоточувствительных элементов.

Фототиристоры

  • применяются в качестве бесконтактных ключей для коммутации световым сигналом электрических сигналов большой мощности ;
  • эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях;
  • скорость отклика на свет — менее 1 мкс;
  • фототиристоры обычно изготавливают из кремния, и спектральная характеристика у них такая же, как и у других кремниевых фоточувствительных элементов.
Светодиоды полупроводниковый прибор с р-n -переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. излучение квантов света при происходит при рекомбинации пар электрон — дырка. Рекомбинация наблюдается, если р- n -переход включен в прямом направлении. Диоды красного, желтого и зеленого свечения изготовляют на основе фосфида галлия, с фиолетовым свечением — на основе карбида кремния и т. д. Конструктивно светодиоды могут быть плоскими и полусферическими.

Светодиоды

полупроводниковый прибор с р-n -переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении.

  • излучение квантов света при происходит при рекомбинации пар электрон — дырка.
  • Рекомбинация наблюдается, если р- n -переход включен в прямом направлении.
  • Диоды красного, желтого и зеленого свечения изготовляют на основе фосфида галлия,
  • с фиолетовым свечением — на основе карбида кремния и т. д.
  • Конструктивно светодиоды могут быть плоскими и полусферическими.
Упрощенная  конструкция светодиода В светодиодах p-n-переходы создают методами вплавления или диффузии. Диод, представляющий собой монокристалл n -типа, в котором создан р-n- переход, помещен в корпус — стеклянную линзу, пропускающую излучаемый свет. От областей n- и р- типа сделаны выводы из некорродирующего металла /

Упрощенная конструкция светодиода

  • В светодиодах p-n-переходы создают методами вплавления или диффузии.
  • Диод, представляющий собой монокристалл n -типа, в котором создан р-n- переход, помещен в корпус — стеклянную линзу, пропускающую излучаемый свет.
  • От областей n- и р- типа сделаны выводы из некорродирующего металла /
Оптоэлектронные устройства (ОПТРОНЫ) полупроводниковые приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической связи между ними. Применение :  для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов;  для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок, оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями (твердотельные реле), запуск мощных тиристоров, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.  для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов;  для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок, оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями (твердотельные реле), запуск мощных тиристоров, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.

Оптоэлектронные устройства (ОПТРОНЫ)

  • полупроводниковые приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической связи между ними.

Применение :

  • для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок, оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями (твердотельные реле), запуск мощных тиристоров, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.
  • для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов;
  • для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок,
  • оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями (твердотельные реле),
  • запуск мощных тиристоров, симисторов,
  • управление электромеханическими релейными устройствами.