Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

• Полевой транзистор ).

Полевой транзистор называется так потому, что в нём с помощью электрического поля меняется ширина токопроводящего слоя полупроводника, т.е. изменяется его сопротивление, а, тем самым, при приложенном напряжении ток через полупроводник. Токопроводящий слой полупроводника называется каналом.

Структура полевого транзистора

Ширина канала определяется конструкцией полевого транзистора и будет зависеть от ширины p - n перехода. В свою очередь ширина p - n перехода будет зависеть от приложенного к нему напряжения. Если между каналом – слоем n и затвором – слоем p ввести источник напряжения, то можно управлять шириной канала или его сопротивлением.

• Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом (ПТИЗ с ИК);
• Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом (ПТИЗ с ВК);
• Полевой транзистор с управляющим переходом (ПТУП).

Один из главных параметров полевых транзисторов - его крутизна S . Крутизна полевого транзистора определяется следующим образом:

Крутизна обычно измеряется в мА/В и для типовых транзисторов она равна десятым долям - единицам мА/В. Чем больше крутизна S , тем больше изменяется ток в стоковой цепи при изменении напряжения на затворе, т.е. тем большее усиление можно обеспечить с помощью полевого транзистора.

Именно поэтому стараются использовать полевой транзистор при достаточно больших напряжениях на стоке и приемлемо малых напряжениях на затворе.

• https://youtu.be/AdH8Q8xoq-I

Области применения полевых транзисторов