Электроника. Раздел 1

Полупроводниковые приборы

Электропроводность полупроводников

Для изготовления п/проводниковых приборов применяются простые п/п вещества – германий, кремний, селен, а также сложные п/п соединения – арсенид галлия, фосфид галлия и т.д.

Для снижения удельного сопротивления чистых п/п, концентрация носителей зарядов (свободных электронов и дырок) которых ничтожно мала, вносятся определенные примеси чтобы получить электропроводность определенного типа (электронную или дырочную). Такой процесс называют легированием, а соответствующие п/п материалы – легированными. Материалы, отдающие свободные носители зарядов называются донорные (электронные п-), а принимающие – акцекторные ( дырочные р-). Основное значение для работы п/п приборов имеет электронно – дырочные переходы, называемые р-п- переходами, т.е. область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную электропроводимости.

Образование р-п – перехода

Возникает перемещение основных и неосновных носителей зарядов. Основные создают напряжение, что приводит к образованию электрического тока, значение которого велико, т.к. сопротивление соединения в данном направлении мало из-за того, что запирающий слой в этом направлении практически мал.

При приложении обратного напряжения запирающий слой возрастает, что приводит к увеличению внутреннего сопротивления. Ток в этом направлении является неосновным и достаточно малым и называется обратным. Тогда р-п- переход – закрытым. При увеличении обратного тока возникает лавинообразное размножение носителей зарядов, что приводит к пробою перехода, называемого лавинным.

В тоже время может возникнуть электрический пробой р-п-перехода, когда при достижении критической напряженности электрического поля перехода за счет энергии поля появляются пары носителей электрон- дырка, и существенно возрастает обратный ток перехода.

Если температура р-п-перехода возрастает в результате нагрева обратным током при недостаточном теплоотводе, наступает тепловой пробой.

Закрытый р-п-переход обладает электрической емкостью, которая зависит от его площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя.

П/п диод – это п/п прибор с одним р-п-переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода.

Область р-п-структуры, обладающая большей концентрацией основных носителей зарядов называется эмиттером, а другая – базой. Характеристики и параметры диодов определяются р-п-переходом.

Классификация и условные обозначения п/п приборов показана на схеме:

п/п диодов

плоские точечные

выпрямительные выпрямительные

стабилитроны СВЧ-диоды

Туннельные обращенные

Варикапы фотодиоды

Светодиоды фотоэлементы

Также существуют кремниевые (рабочая температура 150-200⁰С) и германиевые (рабочая температура 85-160⁰С).

Предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты (50-20000 Гц). Выпускаются в основном в кремниевом исполнении с плоскостным р-п-переходом. Основные параметры:

1. среднее значение выпрямленного тока I_пр.ср (при допустимом нагреве может длительно протекать через диод.

2. Среднее значение прямого падения напряжения U_пр.ср (определяется по ВАХ диода).

3. Среднее значение обратного тока I_обр при заданном значении обратного напряжения.

4. Диапазон рабочих частот f (в его пределах ток не уменьшается ниже заданного значения)

Для повышения допустимого обратного напряжения и увеличения прямого тока промышленность выпускает высоковольтные столбы (диоды включаются последовательно) и выпрямительные блоки (последовательно- параллельное соединение).

Туннельные и обращенные диоды

П/П диоды на основе вырожденного п/п, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом направлении участка с отрицательной дифференциальной электрической проводимостью.

Здесь применяется очень узкий р-п-переход, где возникает условие для относительно свободного туннельного прохождения электронов через потенциальный барьер (туннельный эффект). При увеличении напряженности электрического поля в области перехода вероятность процесса возрастает. ВАХ показывает работу туннельных и обращенных диодов. Используемый температурный диапазон от (–100⁰С) до (+150⁰С).

Данные диоды используются в быстродействующих переключателях (до 10⁹ переключений в 1 сек.), генераторах и усилителях электрических колебаний сверх высоких частот.

Одна из разновидностей – обращенные диоды для переключения, детектирования и преобразования частоты.

Основные параметры данных диодов:

1. Напряжение пика U₁.

2. Напряжение впадин U₂.

3. Максимальный ток (ток пика) I_пика.

4. Отношение пикового тока к току впадины

5. Дифференциальное отрицательное сопротивление R_i

6. Сопротивление потерь R₁.

7. Предельная частота f_max.

Универсальные диоды, работающие в основном в выпрямительных установках переменного тока широкого диапазона частот (сотни мегагерц и даже до десятков гигогерц).

Один из разновидностей в/ч диодов является импульсные диоды. Они используются как ключевые элементы в быстродействующих импульсных схемах. Обладают минимальным временем переходных процессов при включении и выключении.

Это п/п приборы, в которых используется зависимость емкости р-п-перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

В качестве п/п материала служит кремний. Зависимость емкости от обратного напряжения называется вольт – фарадной характеристикой варикапа.

Основные параметры:

1. общая емкость С_в, фиксируется при небольшом обратном напряжении U_обр=2-5 В.

2. коэффициент перекрытия по емкости . Для большого количества варикапов С=10-500 пФ и к_С=5-20

Стабилитроны

П/п приборы, напряжение на которых в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения. В основном кремниевые плоскостные.

Если в диоде повышается обратное напряжение происходит пробой р-п-перехода и сразу же резко возрастают обратные токи. Возникает эффект ударной ионизации нейтральных атомов, увеличивающий дополнительные парные заряды, а следовательно, и ток через проход, нарастающий лавинно (лавинный пробой) (участок АВ). Такой участок характеристики используется в стабилитронах с обратным включением в цепь источника постоянного напряжения. Если же обратный ток не превышает установленного I_{ст мах}, стабилитрон не выходит из строя. Стабилитроны по допустимой мощности рассеивания бывают:

1. маломощные (Р_мах 0,3 Вт)

2. средней (0,3 Р_мах 5 Вт)

3. большой (Р_мах 5 Вт)

Основные параметры:

1. напряжение стабилизации U_ст (при I_{ст min})

2. минимальный и максимальный ток I_мин и I_мах на участке стабилизации

3. Динамическое сопротивление на участке стабилизации . Характеризует степень изменения стабилизации при изменении тока через стабилитрон.

4. Температурный коэффициент напряжения стабилизации.

,

и характеризует относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды на 1⁰С, в %.

Одна из разновидностей данных диодов – стабистор, т.е. низковольтный стабилитрон, напряжение которого получается, используя прямую ветвь ВАХ.

Тиристоры

Тиристор- п/п прибор с тремя или более р-п-переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения. Классификация и условные обозначения приводятся на схемах ниже.

Основной п/п материал – кремний. Простейший тиристор с двумя выводами – это диодный тиристор (динистор). Триодный тиристор (тринистор) имеет дополнительный третий ,(управляющий ) электрод. Как диодный, так и триодный тиристоры имеют четырехслойную структуру с тремя р-п-переходами П₁, П₂, и П₃.

Питающее напряжение подается на тиристор таким образом, что переходы П₁ и П₃ открыты, а П₂ – закрыт. Сопротивления открытых переходов незначительны, поэтому почти все питающее напряжение U_пр приложено к закрытому переходу П₂, имеющему высокое сопротивление. Поэтому ток тиристора мал. При повышении напряжения U_пр ( что достигается увеличением ЭДС источника питания) ток тиристора увеличивается незначительно, пока напряжение U_пр не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению включения U_вкл. После этого происходит лавинообразное увеличение количества носителей зарядов за счет лавинного умножения носителей зарядов в р-п-переходе П₂, движущимися электронами и дырками. Наступает пробой слоя, не разрушающий переход П₂. Этот слой восстанавливается при уменьшении тока.

Важным параметром триодного тиристора является отпирающий ток управления I_у – ток управляющего электрода, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние.

На ВАХ видно, что при подаче на тиристор обратного напряжения в нем возникает небольшой ток, т.к. в этом случае закрыты переходы П₁ и П₃. Во избежании пробоя тиристора в обратном направлении (который выводит тиристор из строя из-за теплового пробоя перенхода) необходимо, чтобы обратное напряжение было меньше U_обрмах.

В симметричных диодных и триодных тиристорах обратная ветвь ВАХ совпадает с прямой. Это достигается встречно – параллельным включением двух одинаковых четырехслойных структур или применением специальных пятислойных структур с четырьмя р-п-переходами.

Биполярные транзисторы

Биполярным транзистором называют электропреобразовательный прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводимости, пригодный для усиления мощности.

Здесь ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок. С помощью трехслойной структуры из п/проводников различной электропроводности создаются два р-п- перехода. Если чередовать участки с различной электропроводимостью все биполярные транзисторы подразделяются на два типа р-п-р (рис1) и п-р-п (рис 2)

Транзисторы принято подразделять на группы по диапазонам используемых частот и мощностей.

Средний слой биполярных транзисторов называется базой (Б),наружный слой, являющийся источником носителей заряда (электронов или дырок), создающий ток – эмиттер (э), другой наружный слой – коллектор(К). Он принимает носители заряда, поступающего от эмиттера.

На переход эмиттер – база напряжение U_эб подается в прямом направлении, поэтому даже при небольших напряжениях в нем возникают значительные токи. На проход коллектор-база напряжение U_кб подается в обратном направлении. Оно обычно в несколько раз больше напряжения между эмиттером и базой. Здесь базовый электрод считается общим для эмиттерной и коллекторной цепей. Такая схема включения – схема с общей базой (рис.а), эмиттерная цепь при этом является входной, а коллекторная – выходной. Применяется достаточно редко.

Рис. А Рис.Б

В качестве основной схемы принята схема включения, в которой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер – схема с общим эмиттером (Рис.б). Для этой схемы входной контур проходит через переход база – эмиттер и в нем возникает ток базы

Малое значение тока базы во входном контуре и обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.

ВАХ биполярных транзисторов

Зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора I_b=f₁(U_бэ) называют входной или базовой характеристикой транзистора.

Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при фиксированных значениях тока базы (I_k=f₂(U_кэ)_Iб=const ) называется семейством выходных (коллекторных) характеристик транзистора.

Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов средней мощности типа п-р-п приведены на рисунках.

На рис. 1 видно, что входная характеристика практически не зависит от U_эк. Выходные характеристики приблизительно равноудалены друг от друга и почти прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения U_эк.

Все характеристики транзисторов, так же как и п/п диодов сильно зависят от температуры. С повышением температуры резко возрастает начальный ток коллектора, что вызывает увеличение или резкое отклонение от норм и стандартов U_бэ , а также приращений I_б, I_к и U_эк. Это приводит к нарушению р-п слоев и пробою на переходах коллектор – эмиттер и эмиттер – база. Чтобы избежать таких явлений применяется принудительное охлаждение транзисторов (вентиляторы, радиаторы и т.д.)

Для повышения мощности Р_{к мах} выпускаются транзисторные сборки, в которых транзисторы соединены одноименными выводами, насчитывающими несколько десятков транзисторов.

Маломощные транзисторы обычно используются независимо. Биполярные транзисторы являются п/п усилительными приборами универсального назначения и широко применяются в различных типах усилителей, генераторов, логических и импульсных устройствах.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор – электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Основные параметры полевого транзистора: сток, исток, затвор и канал.

Канал – центральная часть транзистора. Электрод, из которого в канал входят основные носители зарядов, называется истоком. Электрод, через который основные носители зарядов уходят из канала – стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называется затвором.

В полевых транзисторах ток определяется движением носителей только одного знака. Изготавливаются из кремния и в зависимости от электропроводности исходного материала подразделяют на транзисторы с р-каналом и п-каналов.

Полевой транзистор с управляющим переходом – транзистор, у которого затвор электрически отделен от канала закрытым р-п-переходом

Структурная схема и схема включения полевого транзистора с затвором в виде р-п-перехода.

1,2 –области канала и затвора соответственно.

3, 4, 5 – выводы истока, стока и затвора соответственно.

В транзисторе с п-каналом основные носители зарядов в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока I_C. Между затвором и истоком приложено напряжение, запирающее р-п-переход, образованный п-областью канала и р-областью затвора. Т.о., в полевом транзисторе с п-каналом полярности приложенных напряжений следующие: U_си 0, U_зи  0. В транзисторе с р-переходом U_си 0, U_зи 0

А) входная Б)передаточная

Здесь зависимость тока стока от напряжения при U_зи= const определяют выходные или стоковые. Отрицательное значение напряжения U_зи между затвором и стоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений U_си и I_с. Участок насыщения является рабочей областью выходной характеристики полевого транзистора.

Дальнейшее увеличение U_си приводит к пробою р-п-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя. По выходным характеристикам может быть построена передаточная характеристика I_с= f(U_зи) (рис.Б). На участке насыщения она практически не зависит от U_си.

Входная характеристика – зависимость тока утечки затвора I_з от U_зи затвор – исток, практически не используется, т.к. при U_зи 0 р-п-переход между затвором и каналом закрыт и ток затвора очень мал, следовательно, им можно пренебречь.

Полевой транзистор с изолированным затвором – полевой транзистор, затвор которого электрически отделен от канала слоем диэлектрика. Здесь для уменьшения тока утечки затвора I_з между металлическими затворами и п/п каналом находится тонкий слой диэлектрика, обычно окись кремния, а р-п-переход отсутствует. Они имеют название МДП – транзисторы или МОП – транзисторы. ВАХ данных транзисторов аналогичны характеристикам транзисторов с затвором в виде р-п-перехода. Изолированный затвор позволяет работать в области положительных напряжений между затвором и истоком: U_зи 0. В этой области происходит расширение канала и увеличение токов стока I_с.

Основные параметры полевых транзисторов:

1. крутизна характеристики передачи

, при U_си = const

1. дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения

, при U_зи = const

В качестве предельно допустимых параметров нормируются:

1. максимальное допустимые напряжения U_{cu max} и U_{зu max}

2. максимально допустимая мощность стока P_{c max}

3. максимально допустимый ток стока I_{c max}

Полевые транзисторы с коротким каналом являются высокочастотными приборами и могут работать на частотах до 100 МГц.

Маркировка п/п приборов.

Общетехнические и экономические характеристики.

Общетехнические и экономические характеристики:

1. масса – определяется в основном массой корпуса и выводов: бескорпусные – 0,01-0,1 грамм, в металлическом корпусе – 1-10 гр., маломощные диоды, тиристорные сборки и тиристоры – 0,1-0,5 кг.

2. механическая прочность. П/п выдерживают вибрационные ускорения (10-100)g, удары с ускорением (50-500)g.

3. рабочие температуры: для германиевых от (-40- -60) до +60-+80⁰С; для кремниевых верхний предел +100- +150⁰С.

4. надежность при правильной эксплуатации 10⁵-10⁷час.(рабочее состояние при безотказной работе).

5. Давление окружающей среды от 7*10² до 3*10⁵ Па.

6. стоимость по сравнению с лампами при массовом изготовлении довольно низка.

Маркировка имеет буквально – цифровой код.

Первый элемент определяет исходный п/п материал:

Г или 1 – германиевый

К или 2 – кремниевый

А или 3 соединения галлия

Второй элемент – буквенный – определяет класс прибора

Т – транзисторы биполярные

П – полевые

Д – диоды выпрямительные

Ц - выпрямительные столбы и блоки

А – диоды СВЧ

В – варикапы

И – диоды туннельные и обращенные

С – стабилитроны и стабисторы

Н - тиристоры диодные до 10 А

У – тиристоры триодные до 10 А.

Третий элемент – цифры от 1 до 99 – определяют диапазон основных параметров прибора (мощность, частота, основное назначение, и т.д.)

Четвертый – двухзначное число от 01 до 99 – номер разработки.

Пятый – буквы русского алфавита от А до Я – деление технологического типа на параметрические группы (по обратному напряжению, коэффициенту передачи и т.д.)

Примеры:

ГТ 308 В – германиевый транзистор, высокочастотный малой мощности (3), номер разработки 08, с коэффициентом передачи тока базы 50-120 (В).

КД202 Р – кремниевый выпрямительный диод средней мощности (2), номер разработки 02, с максимально допустимым обратным напряжением 600В (Р)

Интегральные микросхемы

Основной конструктивно – технический принцип микроэлектроники – это элементарная интеграция, т.е. объединение в одном сложном миниатюрном элементе многих простейших элементов (диодов, транзисторов, резисторов и т.д.). Полученный элемент называется интегральной микросхемой (ИМС).

ИМС – микроэлектронное изделие, содержащее не менее пяти активных (транзисторы, диоды) и пассивных элементов (сопротивления, дроссели, конденсаторы), которые изготавливаются в едином технологическом процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют неразрывное целое.

Основные параметры ИМС согласно интеграции это:

1. плотность упаковки, т.е. количество элементов в единице объема ИМС;

2. Степень интеграции – это количество элементов, входящих в состав ИМС.

I степень интеграции - до 10 элементов

II степень интеграции – 10-100 элементов

III степень интеграции – 100-1000 элементов и т.д.

По технологии изготовления различают полупроводниковые и гибридные ИМС

ПИМС – интегральная микросхема, все элементы которой и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Плотность упаковки 10⁵эл/см³ и шестая степень интеграции. Линейные размеры отдельных элементов и межэлементные соединения уменьшены до 1 мкм.

ГИМС – пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла, сапфира, а активные элементы – бескорпусные п/п приборы. Плотность упаковки до 150 эл/см³, степень интеграции – первая и вторая.

Сейчас широко находит применение совмещенная технология, в которой в ГИМС в качестве навесных элементов используются бескорпусные п/п интегральные микросхемы. Таким образом получают м/схемы шестой и выше степени интеграции для быстродействующих ЭВМ.

1. Окисление кремниевой пластины (заготовка). Образование пленки – диэлектрика хорошего соединения с кремнием и непроницаема для атомов примесей донарной и акцепторной связей.

2. Травление, т.е растворение пленки SiO₂.

3. Фотолитография – нанесение на пластину фоточувствительного слоя по определенному рисунку. При травлении SiO₂ под слоем напыление не удаляется.

4. Диффузия примесей. На незащищенных участках происходит диффузия атомов примеси вглубь пластины и формируются слои п/п с различной электропроводимостью в зависимости от типа примеси.

5. Ионное легирование в ускорителе ионов. Позволяет более точно дозировать концентрацию и глубину проникновения легирующих примесей.

6. Эпитаксия – процесс наращивания кристалла п/п с контролируемой электрической проводимостью.

7. Напыление или нанесение пленок. Формируются соединения и металлические контактные площадки, к которым микросваркой привариваются внешние выводы.

ГИМС имеют следующие конструктивные элементы:

1. изолированное основание из стекла, керамики или другого материала, на поверхности которого расположены пленочные проводники, контактные площадки, резисторы и конденсаторы, изготовленные методом напыления.

2. Навесные бескорпусные элементы (транзисторы, диоды).

3. Навесные пассивные элементы в миниатюрном исполнении (конденсаторы большой емкости, дроссели, трансформаторы).

4. Пластмассовый или металлический корпус для герметизации схемы крепления выводных лепестков.

5. Проводники обеспечивают необходимые соединения элементов между собой и их подключение к выводным зажимам обычно выполняют в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля, хрома или титана. Сами проводники – медные.

Плотность пассивных и активных компонентов при их многослойном расположении достигает 300-500 эл./см²

Надежность довольно высока, среднее время безотказной работы при испытаниях в наиболее тяжелых режимах достигает 10⁶ч и более.

Собранная ГИМС помещается в жесткий металлический или пластмассовый корпус, имеющий определенные физические габариты (см рис).

Полупроводниковые интегральные микросхемы(ПИМС)

Обычно строятся из отдельных областей кристалла, каждая из которых выполняет функцию транзистора, диода, резистора или конденсатора.

1. Транзисторы – трехслойные структуры с двумя р-п- переходами, обычно п-р-п- типа. В качестве диодов используются либо двухслойные структуры с одним р-п- переходом, либо транзисторы в диодном включении

2. Конденсаторы. В их роли выступают р-п- переходы, запертые обратным напряжением.

3. Резисторы- это участки легированного п/п с двумя выводами. Его сопротивление зависит от удельного сопротивления п/п и геометрических размеров резисторов.

4. Дроссели создаются достаточно сложно. Поэтому большинство ПИМС проектируется так, чтобы исключить применение индуктивные элементы.

Технология, применяемая для изготовления микросхем в основном на биполярных транзисторах, называется биполярной. Для изготовления микросхем в основном на МДП – транзисторах имеется целый ряд технологий:

п- МОП – технология получения МОП транзисторов с каналом, имеющим электронную электропроводность.

к -МОП - технология получения МДП транзисторов с каналом п- и р-типами.

v - МОП - технология образования v-образных канавок на поверхности п/п пластины. На боковой поверхности этих канавок располагаются МОП- транзисторы с очень короткими каналами, что повышает быстродействие полевых транзисторов.

Соединение микросхем с внешними выводами осуществляют золотыми или алюминиевыми проводниками.

ПИМС в сборе помещаются в металлические или пластиковые корпуса. Имеют большую степень интеграции (10⁴-10⁶ элементов), малую мощность питания (50-200 мВт). Время безотказной работы достигает до 10⁸ч. Плотность упаковки до 500 эл/см³

Параметры ИМС

По назначению все ИМС подразделяются на линейно – импульсные и логические. К линейно – импульсным относятся микросхемы, которые обеспечивают примерно пропорциональную зависимость между входным и выходным сигналами. Входной сигнал – чаще U_вх (реже I_вх); выходной сигнал U_вых.

Основные функциональные параметры:

1. Коэффициент усиления по напряжению;

2. Водное и выходное сопротивления;

3. максимальное выходное напряжение

4. Границы частотного диапазона f_н и f_в (нижняя и верхняя).

Логические представляют собой устройства с несколькими входами и выходами. Здесь входные и выходные напряжения принимают только определенные значения, при этом выходное напряжение зависит от наличия или отсутствия напряжений на различных входах устройства. Основные параметры – входное и выходное напряжения.

Общетехнические параметры всех ИМС:

1. Механическая прочность;

2. Диапазон рабочих температур;

3. Устойчивость к понижению и повышению давления.

4. Влагостойкость;

5. Быстродействие;

6. Экономичность.

Классификация ИМС по функциональному назначению. Система их

обозначений

Условное обозначение типа ИМС состоит из четырех элементов:

1 элемент – цифра, указывающая конструктивно – технологическое исполнение

1, 5, 7- полупроводниковые

2, 4, 6, 8 – гибридные

3 – прочие (пленочные, керамические и т.д.)

2 элемент – две или три цифры – порядковый номер разработки (0-999). Унифицированной серией ИМС называют группу микросхем, выпускаемую по единой технологии, имеющую согласованные входные и выходные сигналы и источники питания.

3 элемент – две буквы, обозначающие функциональное назначение ИМС.

4 элемент – порядковый номер разработки ИМС по функциональному признаку в заданной серии.

ИМС, предназначенные для электронных устройств широкого применения, имеют в начале условного обозначения индекс К. При наличии разброса отдельных электрических параметров, а также предельных эксплуатационных параметров одного и того же типа ИМС в конце условного обозначения проставляется дополнительная буква (от А до Я).

Примеры:

К140УД14А – К- м/схема широкого применения, 1 – п/проводниковая, 40 - порядковый номер серии, УД – операционный усилитель, 14 – порядковый номер операционного усилителя серии 140, А – с коэффициентом усиления определенного значения.

284КН1 – 2- гибридная, 84 – порядковый номер серии 284, КН – коммутаторы, 1 – порядковый номер коммутатора в серии 284.