СДЕЛАЙТЕ СВОИ УРОКИ ЕЩЁ ЭФФЕКТИВНЕЕ, А ЖИЗНЬ СВОБОДНЕЕ

Благодаря готовым учебным материалам для работы в классе и дистанционно

Скидки до 50 % на комплекты
только до

Готовые ключевые этапы урока всегда будут у вас под рукой

Организационный момент

Проверка знаний

Объяснение материала

Закрепление изученного

Итоги урока

Электропроводность полупроводников

Категория: Прочее

Нажмите, чтобы узнать подробности

В презентации рассмотрены физические основы полупроводников и история создания основных полупроводниковых приборов

Просмотр содержимого документа
«Электропроводность полупроводников»

Электропроводность полупроводников

Электропроводность полупроводников

Электроника это область науки и техники, занимающаяся созданием и практическим использованием различных устройств и приборов, работа которых основана на изменении концентрации и перемещении заряженных частиц (электронов) в:

Электроника

  • это область науки и техники, занимающаяся созданием и практическим использованием различных устройств и приборов, работа которых основана на изменении концентрации и перемещении заряженных частиц (электронов) в:
В 1833 году Майкл Фарадей обнаружил, что … Майкл Фарадей работая с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость полупроводников растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается. http://www.eduspb.ru/enc/267984.html#.XGrQdPZuLv8

В 1833 году Майкл Фарадей обнаружил, что …

Майкл Фарадей работая с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость полупроводников растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается.

http://www.eduspb.ru/enc/267984.html#.XGrQdPZuLv8

В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полупроводников:

В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полупроводников:

Явления, которые используются для создания электронных приборов:

Явления, которые используются для создания электронных приборов:

термоэлектронная эмиссия испускание электронов нагретым телом  можно рассматривать как процесс испарения электронов в результате их теплового возбуждения. Для выхода за пределы тела (эмиттера) электронам нужно преодолеть потенциальный барьер у границы тела;  при низких температурах тела количество электронов, обладающих достаточной для этого энергией, мало;  с увеличением температуры их число растет и термоэлектронная эмиссия возрастает; лежит в основе действия многих электровакуумных и газоразрядных приборов и устройств.

термоэлектронная эмиссия

испускание электронов нагретым телом

  • можно рассматривать как процесс испарения электронов в результате их теплового возбуждения.

Для выхода за пределы тела (эмиттера) электронам нужно преодолеть потенциальный барьер у границы тела;

  • при низких температурах тела количество электронов, обладающих достаточной для этого энергией, мало;
  • с увеличением температуры их число растет и термоэлектронная эмиссия возрастает;
  • лежит в основе действия многих электровакуумных и газоразрядных приборов и устройств.
Исследование закономерностей ТЭЭ на основе работы — вакуумного диода   Два электрода: катод К   нить из тугоплавкого металла (вольфрама), накаливаемая электрическим током; анод А   металлический цилиндр, окружающий катод.

Исследование закономерностей ТЭЭ на основе работы — вакуумного диода

Два электрода:

катод К нить из тугоплавкого металла (вольфрама), накаливаемая электрическим током;

анод А металлический цилиндр, окружающий катод.

Фотоэффект внешний и внутренний процесс взаимодействия света или любого другого электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам вещества. Открыл явление внешнего фотоэффекта Александр Григорьевич Столетов. Фотоэффект был объяснён в 1905 году Альбертом Эйнштейном на основе гипотезы Планка о квантовой природе света.  внешний - испускание электронов под действием светового потока; внутренний – изменение проводимости при изменении светового потока

Фотоэффект внешний и внутренний

процесс взаимодействия света или любого другого электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам вещества.

  • Открыл явление внешнего фотоэффекта Александр Григорьевич Столетов.
  • Фотоэффект был объяснён в 1905 году Альбертом Эйнштейном на основе гипотезы Планка о квантовой природе света.

внешний - испускание электронов под действием светового потока;

внутренний – изменение проводимости при изменении светового потока

https://studopedia.org/8-21599.html http://www.eduspb.ru/enc/267984.html#.XGrQdPZuLv8

https://studopedia.org/8-21599.html

http://www.eduspb.ru/enc/267984.html#.XGrQdPZuLv8

Люминесценция  это холодное свечение, не связанное с нагревом тел, которое прекращается как только будет использована энергия внешнего возбуждения излучение светового потока при воздействии на вещество потока заряженных частиц Люминесценции наблюдается: в неоновых и люминесцентных лампах, телевизорах, радарах и экранах флюороскопов; в органических веществах, таких как люминол или люциферин в светлячках; в некоторых пигментах, используемых в наружной рекламе; при молнии и северном сиянии.

Люминесценция

это холодное свечение, не связанное с нагревом тел, которое прекращается как только будет использована энергия внешнего возбуждения

излучение светового потока при воздействии на вещество потока заряженных частиц

Люминесценции наблюдается:

в неоновых и люминесцентных лампах, телевизорах, радарах и экранах флюороскопов;

в органических веществах, таких как люминол или люциферин в светлячках;

в некоторых пигментах, используемых в наружной рекламе;

при молнии и северном сиянии.

Ионизация газов появление в газе под влиянием разнообразных внешних излучение заряженных частиц (ионов). неоновые (газосветные) лампы, газовые разрядники, газоразрядные стабилизаторы напряжения (стабиловольты и стабилитроны) и др.

Ионизация газов

появление в газе под влиянием разнообразных внешних излучение заряженных частиц (ионов).

неоновые (газосветные) лампы,

газовые разрядники,

газоразрядные стабилизаторы напряжения (стабиловольты и стабилитроны) и др.

Полупроводниковые материалы и их свойства Полупроводники — материалы, которые: по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектрика- ми удельная проводимость сильно зависит от внешних воздействий: температуры освещенности давления наличия примесей . температуры освещенности давления наличия примесей . температуры освещенности давления наличия примесей .

Полупроводниковые материалы и их свойства

Полупроводники — материалы, которые:

  • по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектрика- ми
  • удельная проводимость сильно зависит от внешних воздействий:
  • температуры освещенности давления наличия примесей .
  • температуры освещенности давления наличия примесей .
  • температуры
  • освещенности
  • давления
  • наличия примесей .
Наличие двух типов собственной проводимости ДЫРОЧНАЯ «дырка» – вакантное электронное состояние в кристаллической решетке, имеющее избыточный положительный заряд ЭЛЕКТРОННАЯ проводимость обусловленная наличием свободных электронов

Наличие двух типов собственной проводимости

ДЫРОЧНАЯ

«дырка» – вакантное электронное состояние в кристаллической решетке, имеющее избыточный положительный заряд

ЭЛЕКТРОННАЯ

проводимость обусловленная наличием свободных электронов

К полупроводникам относятся арсенид галлия(GaAs), арсенид индия ( InAs ), фосфорит галлия(GaP), фосфорит индия (InP )карбид кремния(SiC), InSb,  GaSb, AlSb и другие неорганические вещества. 18

К полупроводникам относятся

арсенид галлия(GaAs), арсенид индия ( InAs ), фосфорит галлия(GaP), фосфорит индия (InP )карбид кремния(SiC), InSb, GaSb, AlSb и другие неорганические вещества.

18

Проводимость примесных полупроводников полупроводник n- типа  ЭЛЕКТРОННАЯ проводимость обусловленная наличием свободных электронов донорной примеси. полупроводник р- типа ДЫРОЧНАЯ проводимость обусловлена наличием «дырок» акцепторной примеси.

Проводимость примесных полупроводников

полупроводник n- типа ЭЛЕКТРОННАЯ проводимость обусловленная наличием свободных электронов донорной примеси.

полупроводник р- типа

ДЫРОЧНАЯ проводимость обусловлена наличием

«дырок» акцепторной примеси.